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IPB123N10N3 G

英飞凌(INFINEON)图标
单端场效应管
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
原厂封装：PG-TO263-2
优势价格，IPB123N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPB123N10N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB123N10N3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：58A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.3 毫欧 @ 46A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 46A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2500pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：94W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-2
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