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IPB80N06S2L-06
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IPB80N06S2L-06
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
原厂封装:
PG-TO263-3
优势价格,IPB80N06S2L-06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB80N06S2L-06的技术资料下载
IPB80N06S2L-06的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:IPB80N06S2L-06
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 69A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 180A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3800pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:PG-TO263-3
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