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IPC020N10L3X1SA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IPC020N10L3X1SA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
原厂封装:
封装:带箔切割晶片
优势价格,IPC020N10L3X1SA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPC020N10L3X1SA1的技术资料下载
IPC020N10L3X1SA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IPC020N10L3X1SA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:带箔切割晶片
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 12A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:带箔切割晶片
封装/外壳:模具
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