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IPD16CNE8N G
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IPD16CNE8N G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
原厂封装:
器件封装:PG-TO252-3
优势价格,IPD16CNE8N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD16CNE8N G的技术资料下载
IPD16CNE8N G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IPD16CNE8N G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:OptiMOS
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):85V
25°C时电流-连续漏极(Id):53A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):16 毫欧 @ 53A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 61A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):48nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3230pF @ 40V
FET功能:-
功率耗散(最大值):100W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PG-TO252-3
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