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IPD50R650CE的图片

IPD50R650CE

英飞凌(INFINEON)图标
单端场效应管
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
原厂封装：PG-TO252-3
优势价格，IPD50R650CE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD50R650CE的技术资料下载
电话询问价格
IPD50R650CE的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPD50R650CE
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  • 系列：CoolMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.1A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 1.8A, 13V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：342pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：47W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
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