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| IPG20N06S2L-35的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IPG20N06S2L-35的图片

IPG20N06S2L-35

英飞凌(INFINEON)图标
场效应管阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
原厂封装：PG-TDSON-8-4
优势价格，IPG20N06S2L-35的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPG20N06S2L-35的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPG20N06S2L-35
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：65W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
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