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IPI110N20N3 G
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IPI110N20N3 G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
原厂封装:
PG-TO262-3
优势价格,IPI110N20N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPI110N20N3 G的技术资料下载
IPI110N20N3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:IPI110N20N3 G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):88A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11 毫欧 @ 88A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7100pF @ 100V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,IPak,TO-262AA
供应商器件封装:PG-TO262-3
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