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IPN65R1K5CEATMA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
原厂封装：封装:PG-SOT223
优势价格，IPN65R1K5CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPN65R1K5CEATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:IPN65R1K5CEATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-SOT223
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:225 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:5W（Tc）
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-SOT223
  • 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
  • 想获取IPN65R1K5CEATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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