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IPP65R190E6XKSA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IPP65R190E6XKSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
原厂封装:
封装:PG-TO220-3
优势价格,IPP65R190E6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPP65R190E6XKSA1的技术资料下载
IPP65R190E6XKSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IPP65R190E6XKSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TO220-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
包装:散装
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 730A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):73 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1620 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):151W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO220-3
封装/外壳:TO-220-3
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