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IQE018N06NM6CGSCATMA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：TRENCH 40<-<100V
原厂封装：封装:PG-WHTFN-9-1
优势价格，IQE018N06NM6CGSCATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IQE018N06NM6CGSCATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:IQE018N06NM6CGSCATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-WHTFN-9-1
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:TRENCH 40<-<100V
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），178A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.3V @ 51A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），125W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-WHTFN-9-1
  • 封装/外壳:9-PowerWDFN
  • 想获取IQE018N06NM6CGSCATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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