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IRF6611TR1PBF
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IRF6611TR1PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
原厂封装:
器件封装:DIRECTFET MX
优势价格,IRF6611TR1PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF6611TR1PBF的技术资料下载
IRF6611TR1PBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRF6611TR1PBF
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HEXFET
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):32A(Ta),150A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 27A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.25V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):56nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4860pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.9W(Ta),89W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DIRECTFET MX
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