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IRF6614TRPBF
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IRF6614TRPBF
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
原厂封装:
封装:DIRECTFET ST
优势价格,IRF6614TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF6614TRPBF的技术资料下载
IRF6614TRPBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IRF6614TRPBF
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:DIRECTFET ST
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.7A(Ta),55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8.3 毫欧 @ 12.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.25V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):29 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2560 pF @ 20 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),42W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DIRECTFET ST
封装/外壳:DirectFET 等容 ST
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