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IRF7103TRPBFXTMA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IRF7103TRPBFXTMA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
原厂封装:
封装:PG-DSO-8-902
优势价格,IRF7103TRPBFXTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF7103TRPBFXTMA1的技术资料下载
IRF7103TRPBFXTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IRF7103TRPBFXTMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-DSO-8-902
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):290pF @ 25V
功率 - 最大值:2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-8-902
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