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IRFHE4250DTRPBF

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN
原厂封装：封装:32-PQFN（6x6）
优势价格，IRFHE4250DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IRFHE4250DTRPBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:IRFHE4250DTRPBF
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:32-PQFN（6x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):86A，303A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75 毫欧 @ 27A，10V，0.9 毫欧 @ 27A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 35A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:156W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:32-PowerWFQFN
  • 供应商器件封装:32-PQFN（6x6）
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