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IRLML2803GTRPBF
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IRLML2803GTRPBF
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
原厂封装:
封装:Micro3/SOT-23
优势价格,IRLML2803GTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRLML2803GTRPBF的技术资料下载
IRLML2803GTRPBF的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IRLML2803GTRPBF
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:Micro3/SOT-23
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 毫欧 @ 910mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):85 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):540mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:Micro3/SOT-23
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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接口 - 电信
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开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
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S29GL512N11TFIV20
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
CY7C1360C-166BZI
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
TLS4120ADJBOARDTOBO1
开发板,套件,编程器 > 评估板 > DC/DC 和 AC/DC(离线)SMPS 评估板
IPA052N08NM5SXKSA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
IKD10N60RFAATMA1
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AUIRGP4062D1
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
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