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ISG0614N06NM5HSCATMA1

英飞凌(INFINEON)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
原厂封装：封装:PG-WHITFN-10-1
优势价格，ISG0614N06NM5HSCATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ISG0614N06NM5HSCATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 型号:ISG0614N06NM5HSCATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-WHITFN-10-1
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），233A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.3V @ 86A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:3W（Ta），167W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:10-PowerWDFN
  • 供应商器件封装:PG-WHITFN-10-1
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