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SIHB33N60E-GE3

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N-CH 600V D2PAK
原厂封装：器件封装：-
优势价格，SIHB33N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SIHB33N60E-GE3的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：SIHB33N60E-GE3
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V D2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：*
  • 零件状态：有源
  • FET类型：-
  • 技术：-
  • 漏源电压（Vdss）：-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 器件封装：-
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