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PTF080101S V1
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PTF080101S V1技术资料
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PTF080101S V1
RF场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
原厂封装：
H-32259-2
优势价格，PTF080101S V1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PTF080101S V1的技术资料下载
PTF080101S V1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：PTF080101S V1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2
系列：GOLDMOS
晶体管类型：LDMOS
频率：960MHz
增益：18.5dB
电压 - 测试：28V
额定电流：1μA
噪声系数：-
电流 - 测试：150mA
功率 - 输出：10W
电压 - 额定：65V
封装/外壳：H32259-2
供应商器件封装：H-32259-2
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PTF080101M V1
R
ESD0P4RFL E6327
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BAT 68-06 E6327
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