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INFINEON
PTFA212001E V4的图片

PTFA212001E V4

英飞凌(INFINEON)图标
RF场效应管
制造厂商:英飞凌(INFINEON)
功能简述:IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
原厂封装:H-36260-2
优势价格,PTFA212001E V4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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PTFA212001E V4的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号:PTFA212001E V4
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
  • 系列:-
  • 晶体管类型:LDMOS
  • 频率:2.14GHz
  • 增益:15.8dB
  • 电压 - 测试:30V
  • 额定电流:10μA
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:1.6A
  • 功率 - 输出:50W
  • 电压 - 额定:65V
  • 封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线
  • 供应商器件封装:H-36260-2
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  • R
    PTFA220081M V4
  • PTFA261301E V1
  • 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
    BSZ0589NSATMA1
  • 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    IGW40N60H3FKSA1
  • 电源管理IC - 栅极驱动器
    IR21084SPBF
  • 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
    IPP60R600CPXKSA1
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