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PTFA212001E V4
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PTFA212001E V4价格
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PTFA212001E V4技术资料
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PTFA212001E V4
RF场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
原厂封装:
H-36260-2
优势价格,PTFA212001E V4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PTFA212001E V4的技术资料下载
PTFA212001E V4的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:PTFA212001E V4
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:2.14GHz
增益:15.8dB
电压 - 测试:30V
额定电流:10μA
噪声系数:-
电流 - 测试:1.6A
功率 - 输出:50W
电压 - 额定:65V
封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线
供应商器件封装:H-36260-2
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PTFA220081M V4
R
PTFA261301E V1
晶
BSZ0589NSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
IGW40N60H3FKSA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
IR21084SPBF
电源管理IC - 栅极驱动器
IPP60R600CPXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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