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PTFA261702E V1
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PTFA261702E V1技术资料
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PTFA261702E V1
RF场效应管
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
原厂封装:
H-30275-4
优势价格,PTFA261702E V1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PTFA261702E V1的技术资料下载
PTFA261702E V1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:PTFA261702E V1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:2.66GHz
增益:15dB
电压 - 测试:28V
额定电流:10μA
噪声系数:-
电流 - 测试:1.8A
功率 - 输出:170W
电压 - 额定:65V
封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线
供应商器件封装:H-30275-4
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