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PTFB211501E V1
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PTFB211501E V1价格
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PTFB211501E V1技术资料
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PTFB211501E V1
RF场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
FET RF LDMOS 150W H36248-2
原厂封装:
H-36248-2
优势价格,PTFB211501E V1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PTFB211501E V1的技术资料下载
PTFB211501E V1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:PTFB211501E V1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:FET RF LDMOS 150W H36248-2
系列:-
晶体管类型:LDMOS
频率:2.17GHz
增益:18dB
电压 - 测试:30V
额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.2A
功率 - 输出:140W
电压 - 额定:65V
封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线
供应商器件封装:H-36248-2
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