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SGB15N120的图片

SGB15N120

Infineon图标
单路IGBT
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
原厂封装:PG-TO263-3
优势价格,SGB15N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SGB15N120的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:SGB15N120
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):52A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.6V @ 15V,15A
  • 功率 - 最大值:198W
  • Switching Energy:1.9mJ
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:130nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:18ns/580ns
  • Test Condition:800V, 15A, 33 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3
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  • SGB15N60HS
  • SGB15N60
  • 控制器接口芯片
    ADM6996HX-AD-T-1
  • 单端场效应管
    IPP80N04S4-03
  • FET - 单
    IPS65R1K0CEAKMA1
  • RF场效应管
    PTFA260851F V1
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