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SPB07N60C3的图片

SPB07N60C3

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK

原厂封装：PG-TO263-3

优势价格，SPB07N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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SPB07N60C3的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

Infineon英飞凌公司完整型号：SPB07N60C3

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK

系列：CoolMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.3A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 4.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 350μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 25V

功率 - 最大值：83W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO263-3

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