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SPB11N60S5
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SPB11N60S5价格
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SPB11N60S5技术资料
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SPB11N60S5
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
原厂封装:
PG-TO263-3
优势价格,SPB11N60S5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SPB11N60S5的技术资料下载
SPB11N60S5的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:SPB11N60S5
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
系列:CoolMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):54nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1460pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:PG-TO263-3
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