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SPD04P10PL G
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SPD04P10PL G技术资料
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SPD04P10PL G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
原厂封装:
PG-TO252-3
优势价格,SPD04P10PL G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SPD04P10PL G的技术资料下载
SPD04P10PL G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:SPD04P10PL G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
系列:SIPMOS
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.2A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 380A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):372pF @ 25V
功率 - 最大值:38W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:PG-TO252-3
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