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SPI80N06S2-07的图片

SPI80N06S2-07

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

原厂封装：P-TO262-3

优势价格，SPI80N06S2-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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SPI80N06S2-07的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：SPI80N06S2-07

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 68A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 180μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4540pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：P-TO262-3

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