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SPP04N60C3XKSA1的图片

SPP04N60C3XKSA1

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220
原厂封装:PG-TO220-3
优势价格,SPP04N60C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SPP04N60C3XKSA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:SPP04N60C3XKSA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):950 毫欧 @ 2.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 200μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:50W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-220-3 隔离片
  • 供应商器件封装:PG-TO220-3
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  • SPP04N60C3
  • SPP04N60S5
  • 控制器接口芯片
    ADM6996HX-AD-T-1
  • 单端场效应管
    IPP80N04S4-03
  • FET - 单
    IPS65R1K0CEAKMA1
  • RF场效应管
    PTFA260851F V1
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