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BSC084P03NS3EGATMA1的图片

BSC084P03NS3EGATMA1

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON

原厂封装：PG-TDSON-8-5

优势价格，BSC084P03NS3EGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSC084P03NS3EGATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

制造商产品型号：BSC084P03NS3EGATMA1

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：OptiMOS?

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：14.9A（Ta），78.6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.4 毫欧 @ 50A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 110μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4240pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），69W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PG-TDSON-8-5

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