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BSO150N03的图片

BSO150N03

场效应管阵列

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO

原厂封装：PG-DSO-8

优势价格，BSO150N03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSO150N03的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSO150N03

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO

系列：OptiMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 9.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1890pF @ 15V

功率 - 最大值：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8

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场

BSO150N03MD G

PTC热敏电阻

KTY23-7

SAL-XC886CM-8FFA 5V AC

微控制器

SAL-XC886CM-8FFA 5V AC

RF晶体管

BFP405E6327

霍尔效应磁性传感器IC

TLE4966L

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