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BSP135 L6327
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BSP135 L6327
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
原厂封装：
PG-SOT223-4
优势价格，BSP135 L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSP135 L6327的技术资料下载
BSP135 L6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSP135 L6327
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
系列：SIPMOS
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 94μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：146pF @ 25V
功率 - 最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4
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