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BSZ025N04LSATMA1的图片

BSZ025N04LSATMA1

FET - 单

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

原厂封装：8-PowerTDFN

优势价格，BSZ025N04LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSZ025N04LSATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号: BSZ025N04LSATMA1

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 22A（Ta），40A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 52nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 3680pF @ 20V

功率 - 最大值: 2.1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL (3.3x3.3)

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