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DF200R12W1H3B27BOMA1
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DF200R12W1H3B27BOMA1技术资料
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DF200R12W1H3B27BOMA1
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
IGBT MOD 1200V 30A 375W
原厂封装：
模块
优势价格，DF200R12W1H3B27BOMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DF200R12W1H3B27BOMA1的技术资料下载
DF200R12W1H3B27BOMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：DF200R12W1H3B27BOMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：IGBT MOD 1200V 30A 375W
系列：晶体管 - IGBT - 模块
零件状态：有源
IGBT类型：-
配置：2 个独立式
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
功率-最大值：375W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.3V @ 15V，30A
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同?Vce时输入电容(Cies)：2nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C
安装类型：底座安装
封装：模块
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