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IGT60R190D1SATMA1
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IGT60R190D1SATMA1价格
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IGT60R190D1SATMA1技术资料
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IGT60R190D1SATMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
原厂封装：
PG-HSOF-8-3
优势价格，IGT60R190D1SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IGT60R190D1SATMA1的技术资料下载
IGT60R190D1SATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IGT60R190D1SATMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：CoolGaN?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：12.5A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1,6V @ 960μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：157pF @ 400V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：55,5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-HSOF-8-3
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