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IPB06N03LB技术资料
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IPB06N03LB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
原厂封装:
DPAK(TO-263AB)
优势价格,IPB06N03LB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB06N03LB的技术资料下载
IPB06N03LB的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IPB06N03LB
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:OptiMOS
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.3 毫欧 @ 50A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 40A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22nC @ 5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2782pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):83W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK(TO-263AB)
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