IPG20N06S4L11AATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：IPG20N06S4L11AATMA1制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET 2N-CH 8TDSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.2 毫欧 @ 17A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 28μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：53nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4020pF @ 25V功率-最大值：65W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装：8-PowerVDFN想获取IPG20N06S4L11AATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
