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IPP023N04N G

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
原厂封装:TO-220-3
优势价格,IPP023N04N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPP023N04N G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPP023N04N G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):90A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 90A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 95μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10000pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:167W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220-3
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