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IRF5805TR
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IRF5805TR技术资料
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IRF5805TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
原厂封装:
Micro6?(TSOP-6)
优势价格,IRF5805TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IRF5805TR的技术资料下载
IRF5805TR的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:IRF5805TR
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HEXFET?
零件状态:停产
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):98 毫欧 @ 3.8A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):511pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:Micro6?(TSOP-6)
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