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IAUCN04S7L025AHATMA1
的报价和技术资料 - INFINEON英飞凌公司授权中国代理商 |
IAUCN04S7L025AHATMA1
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET_(20V 40V)
原厂封装:
封装:PG-TDSON-8-57
优势价格,IAUCN04S7L025AHATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IAUCN04S7L025AHATMA1的技术资料下载
IAUCN04S7L025AHATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
型号:IAUCN04S7L025AHATMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TDSON-8-57
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET_(20V 40V)
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 个 N 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tj),65A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.56 毫欧 @ 50A,10V,5.04 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 25A,1.8V @ 10A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):38nC @ 10V,14nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2518pF @ 20V,915pF @ 20V
功率 - 最大值:75W(Tc),40W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商器件封装:PG-TDSON-8-57
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